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AOI482 是 AOS 推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-251A 通孔封装。其核心电气参数包括 100V 的漏源电压（Vdss），以及在 10V Vgs、10A Id 条件下低至 37 毫欧的导通电阻（Rds(On)），这有效降低了功率损耗。器件的栅极电荷（Qg）仅为 44nC，有利于实现高速开关并减少驱动损耗。

该器件在管壳温度（Tc）下可支持高达 32A 的连续漏极电流，展现了强大的电流处理与散热能力。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 175°C）和 ±20V 的栅源电压耐受能力，确保了其在各种环境与电气应力下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为中功率开关电源、电机驱动等应用的理想选择。

• 型号:AOI482
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251A
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 5A/32A TO251A
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Ta），32A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:37 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251A
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• AOI482，AOS产品一站式供应商。