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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOI482 是 AOS 推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-251A 通孔封装。其核心电气参数包括 100V 的漏源电压（Vdss），以及在 10V Vgs、10A Id 条件下低至 37 毫欧的导通电阻（Rds(On)），这有效降低了功率损耗。器件的栅极电荷（Qg）仅为 44nC，有利于实现高速开关并减少驱动损耗。
该器件在管壳温度（Tc）下可支持高达 32A 的连续漏极电流，展现了强大的电流处理与散热能力。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 175°C）和 ±20V 的栅源电压耐受能力，确保了其在各种环境与电气应力下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为中功率开关电源、电机驱动等应用的理想选择。
制造商产品型号：AOI482制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N-CH 100V 5A/32A TO251A系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：100V25°C时电流-连续漏极(Id)：5A（Ta），32A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：37 毫欧 @ 10A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：44nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2000pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），100W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-251AAOI482，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AOI482
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N-CH 100V 5A/32A TO251A
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AOI482的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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