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零件图片（仅供参考）
AO3419L_101
规格参数

AO3419L_101是AOS推出的一款P沟道功率MOSFET，采用SOT-23-3封装。其核心优势在于在紧凑的尺寸内实现了优异的电气性能，额定值为20V漏源电压和3.5A连续漏极电流。

该器件的关键卖点在于其极低的导通电阻，在10V Vgs下最大仅75毫欧，能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，其低至1.4V的最大栅极阈值电压和仅6.6nC的栅极电荷，使其能够被低压微控制器直接高效驱动，简化了驱动电路设计并提升了开关速度。

  • 制造商产品型号：AO3419L_101
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23-3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.5A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：75 毫欧 @ 3.5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：6.6nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±12V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：620pF @ 10V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：SOT-23-3
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AO3419L_101
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23-3
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AO3419L_101的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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