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AO3419L_101是AOS推出的一款P沟道功率MOSFET，采用SOT-23-3封装。其核心优势在于在紧凑的尺寸内实现了优异的电气性能，额定值为20V漏源电压和3.5A连续漏极电流。

该器件的关键卖点在于其极低的导通电阻，在10V Vgs下最大仅75毫欧，能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，其低至1.4V的最大栅极阈值电压和仅6.6nC的栅极电荷，使其能够被低压微控制器直接高效驱动，简化了驱动电路设计并提升了开关速度。

• 制造商产品型号：AO3419L_101
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23-3
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.5A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：75 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：6.6nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±12V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：620pF @ 10V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：SOT-23-3
• AO3419L_101，AOS产品一站式供应商。