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AOTF4N90_002 零件图片(仅供参考)

AOTF4N90_002
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AOTF4N90_002 规格参数

AOTF4N90_002是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET,采用标准的TO-220封装。作为“晶体管-FET,MOSFET-单个”系列中的一员,该器件基于成熟的MOSFET(金属氧化物)技术制造,专为要求高电压处理能力的功率开关应用而设计。

其核心卖点在于提供了可靠的N通道开关解决方案,适用于构建高效的功率转换电路。TO-220封装确保了良好的功率耗散能力和便于安装的特性,适合通过外加散热器进行热管理。尽管其详细电气参数如特定条件下的导通电阻、栅极电荷等需查阅完整数据手册,但该型号代表了一类用于中高功率领域、注重耐用性与基本开关性能的功率半导体元件。

  • 制造商产品型号:AOTF4N90_002
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH TO220
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):-
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):-
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):-
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):-
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):-
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:-
  • 安装类型:-
  • 器件封装:-
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AOTF4N90_002 基本参数:

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