
我们为全球各个行业提供AOS AON6280及技术资料下载,帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片(仅供参考)

规格参数
AON6280是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET,采用8-DFN(5x6)表面贴装封装。其核心优势在于80V的漏源电压(Vdss)耐受能力和极低的导通电阻,在10V Vgs、20A Id条件下,Rds(on)最大值仅为4.1毫欧,这有效降低了传导损耗。
该器件具备出色的电流处理能力,在25°C环境温度下连续漏极电流为17A,并支持高达85A(Tc)的电流。其低栅极电荷(Qg最大值82nC @ 10V)确保了快速的开关速度,适用于高频开关电源设计。宽泛的工作结温范围(-55°C ~ 150°C)和高达83W(Tc)的功率耗散能力,使其能够在要求严苛的工业与计算应用中稳定运行。

基本参数:
AOS被热门搜索和购买的相关器件型号


AOS(万代半导体)全球授权代理商现货库存实时更新中,欢迎询价
AOS提供广泛的功率半导体产品线,包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列
AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询






