AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7405是一款采用8-DFN-EP封装的P沟道功率MOSFET，由AOS制造。其核心优势在于极低的导通电阻（6.2mΩ @ 10V, 20A）与高电流处理能力（连续漏极电流达25A Ta / 50A Tc）的出色结合，这能显著降低导通损耗，提升系统能效。
器件具备30V的漏源电压额定值，栅极驱动兼容逻辑电平（Vgs(th) ≤ 2.8V），且开关特性优良（Qg仅51nC @ 10V），支持快速开关操作以降低动态损耗。其宽工作结温范围（-55°C ~ 150°C）与紧凑的3.3x3.3mm封装，使其非常适用于对空间、效率和可靠性有严苛要求的电源管理及负载开关应用。
基本参数：
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