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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD2N60 是 AOS 推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-252 表面贴装封装。其核心电气参数定义了其在高压功率管理应用中的价值：600V 的漏源电压（Vdss）提供了强大的耐压能力，适用于离线式电源拓扑；2A 的连续漏极电流（Id）与优化的低导通电阻相结合，确保了高效的功率传输与较低的导通损耗。
此外，器件具备较低的栅极电荷和输入电容，有利于实现快速的开关切换并降低驱动损耗。宽工作结温范围（-50°C ~ 150°C）和 56.8W 的功率耗散能力，进一步保障了其在各种环境条件下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为紧凑型开关电源、LED 驱动和辅助电源等设计的理想选择。
基本参数：
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