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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4803L是AOS推出的一款集成双P沟道MOSFET的功率器件，采用8-SOIC封装。其核心电气参数包括30V的漏源电压（Vdss）和5A的连续漏极电流（Id），在10V Vgs条件下导通电阻（RDS(on)）低至52毫欧，有效降低了导通损耗。
该器件具备快速开关能力，其最大栅极电荷（Qg）为11nC，输入电容（Ciss）为520pF，有利于提升开关频率和系统效率。其2.4V的最大栅极阈值电压（Vgs(th)）确保了与标准逻辑电平的兼容性。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和2W的功耗能力，使其能够适应多种环境要求。
基本参数：
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