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AO4803L是AOS推出的一款集成双P沟道MOSFET的功率器件，采用8-SOIC封装。其核心电气参数包括30V的漏源电压（Vdss）和5A的连续漏极电流（Id），在10V Vgs条件下导通电阻（RDS(on)）低至52毫欧，有效降低了导通损耗。

该器件具备快速开关能力，其最大栅极电荷（Qg）为11nC，输入电容（Ciss）为520pF，有利于提升开关频率和系统效率。其2.4V的最大栅极阈值电压（Vgs(th)）确保了与标准逻辑电平的兼容性。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和2W的功耗能力，使其能够适应多种环境要求。

• 型号:AO4803L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:52 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:520pF @ 15V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• AO4803L，AOS产品一站式供应商。