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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF11N62L是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F封装。其核心优势在于高达620V的漏源击穿电压（Vdss）与低至650毫欧（@10V，5.5A）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这为高压开关应用提供了低导通损耗的解决方案。
该器件在开关性能上同样表现优异，最大栅极电荷（Qg）仅为37nC，有助于降低驱动损耗并支持更高频率的开关操作。其连续漏极电流额定值为11A（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在各类电源转换和电机控制应用中的鲁棒性与可靠性。
基本参数：
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