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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD360A70是一款采用aMOS5技术的N沟道功率MOSFET，其主要规格为700V漏源电压和12A连续漏极电流。该器件的核心优势在于其优异的导通性能，在10V Vgs、6A Id条件下，导通电阻典型值低至360毫欧，有助于显著降低导通状态下的功率损耗。
同时，其栅极电荷最大值仅为22.5nC，较低的开关损耗特性使其适合高频开关应用。器件采用TO-252（DPAK）封装，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，为开关电源、电机驱动等工业级应用提供了高可靠性和高功率密度的解决方案。
基本参数：
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