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AO4710L_101是一款由AOS制造的N沟道MOSFET，采用8-SOIC封装，核心额定参数为30V漏源电压和12.7A连续漏极电流。其关键优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、12.7A条件下典型值仅为11.8毫欧，这直接带来了更低的传导损耗和更高的功率转换效率。

该器件具备快速的开关性能，最大栅极电荷为43nC，配合集成的肖特基体二极管，能有效降低开关损耗和反向恢复影响。其驱动兼容性好，标准4.5V至10V的驱动电压范围使其易于被主流控制器驱动。这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换及电机控制等中低功率、高效率开关应用的理想选择。

• 制造商产品型号：AO4710L_101
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：12.7A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：11.8 毫欧 @ 12.7A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：43nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±12V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2376pF @ 15V
• FET功能：肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SOIC
• AO4710L_101，AOS产品一站式供应商。