AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
我们为全球各个行业提供AOS AOT11S60L及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT11S60L是AOS公司aMOS系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装。该器件核心特性在于其600V的高漏源耐压（Vdss）与11A（Tc）的连续电流处理能力，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。
其技术优势体现在优异的导通与开关性能上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为399毫欧 @ 3.8A，有效降低了导通损耗。同时，低至11nC @ 10V的栅极电荷（Qg）和545pF @ 100V的输入电容（Ciss），确保了快速的开关速度和较低的驱动需求，有助于提升系统效率与频率。这些特性使其适用于开关电源、电机驱动等对效率和可靠性有较高要求的场合。
基本参数：
AOS（万代半导体）全球授权代理商现货库存实时更新中，欢迎询价
AOS提供广泛的功率半导体产品线，包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列
AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询