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零件图片(仅供参考)
规格参数
AOI403是一款30V耐压的P沟道功率MOSFET,采用TO-251A封装。其核心优势在于极低的导通电阻,在20V栅极驱动、20A电流条件下最大值仅为6.7毫欧,这能显著降低导通状态下的功率损耗,提升能效。器件在管壳温度条件下的连续漏极电流能力高达70A,展现出优异的峰值电流处理性能。
该器件设计便于驱动,其栅极阈值电压典型值较低,且栅极电荷较小,有利于实现快速开关并简化驱动电路设计。宽广的结温工作范围(-55°C至175°C)确保了其在恶劣环境下的稳定运行。这些特性使其成为高边开关、DC-DC转换及电机控制等应用的理想选择。
制造商产品型号:AOI403制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)描述:MOSFET P-CH 30V 15A/70A TO251A系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:-零件状态:停产FET类型:P 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):30V25°C时电流-连续漏极(Id):15A(Ta),70A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V,20V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):6.7 毫欧 @ 20A,20V不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):61nC @ 10VVgs(最大值):±25V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):3500pF @ 15VFET功能:-功率耗散(最大值):2.5W(Ta),90W(Tc)工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:通孔器件封装:TO-251AAOI403,AOS产品一站式供应商。
基本参数:
电子零件型号:AOI403
原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
技术标准参数:MOSFET P-CH 30V 15A/70A TO251A
产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
点击此处查询AOI403的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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