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AOI403 零件图片(仅供参考)

AOI403
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AOI403 规格参数

AOI403是一款30V耐压的P沟道功率MOSFET,采用TO-251A封装。其核心优势在于极低的导通电阻,在20V栅极驱动、20A电流条件下最大值仅为6.7毫欧,这能显著降低导通状态下的功率损耗,提升能效。器件在管壳温度条件下的连续漏极电流能力高达70A,展现出优异的峰值电流处理性能。

该器件设计便于驱动,其栅极阈值电压典型值较低,且栅极电荷较小,有利于实现快速开关并简化驱动电路设计。宽广的结温工作范围(-55°C至175°C)确保了其在恶劣环境下的稳定运行。这些特性使其成为高边开关、DC-DC转换及电机控制等应用的理想选择。

  • 型号:AOI403
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:TO-251A
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 30V 15A/70A TO251A
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A(Ta),70A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V,20V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):6.7 毫欧 @ 20A,20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):61 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3500 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),90W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-251A
  • 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPAK
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AOI403 基本参数:

  • 电子零件型号:AOI403
  • 原始制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,万代半导体)
  • 技术标准参数:MOSFET P-CH 30V 15A/70A TO251A
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询AOI403的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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