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零件图片(仅供参考)
AOC2806
规格参数

AOC2806是AOS公司AlphaMOS系列的一款表面贴装、双N沟道MOSFET阵列。该器件将两个标准N沟道MOSFET集成于一个微型的4-XDFN封装中,采用共漏极配置,专为高密度PCB布局和高效开关应用而设计。

其核心电气特性突出表现为极低的栅极驱动需求,在4.5V Vgs下的最大栅极电荷(Qg)仅为12.5nC,这确保了快速的开关转换和较低的驱动损耗。器件最大功耗为700mW,工作结温范围覆盖-55°C至150°C,提供了稳健的功率处理能力和宽广的环境适应性。

因此,AOC2806非常适合用于空间受限的便携式设备电源管理、负载开关、DC-DC转换及各类需要紧凑型双路开关解决方案的电子系统中。

  • 制造商产品型号:AOC2806
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET 2N-CH
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:AlphaMOS
  • 零件状态:不用於新
  • FET类型:2 N 沟道(双)共漏
  • FET功能:标准
  • 漏源电压(Vdss):-
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):-
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):-
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):12.5nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
  • 功率-最大值:700mW
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:4-XDFN
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AOC2806
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET 2N-CH
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询AOC2806的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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