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AON2705是一款由AOS制造的P沟道增强型MOSFET，采用6-DFN-EP（2x2）表面贴装封装。该器件设计用于在30V的漏源电压（Vdss）下处理高达3A的连续电流，其关键优势在于较低的导通电阻（Rds(On)）与栅极电荷（Qg），这有助于最小化导通和开关损耗，提升电源转换效率。

其电气参数支持标准的逻辑电平驱动（Vgs范围覆盖4.5V至10V），并集成了体二极管，简化了电路设计。器件具备宽工作温度范围（-55°C至150°C）和1.5W的功率耗散能力，确保了在各种应用环境下的稳定性和可靠性，适用于空间紧凑的便携式与嵌入式系统。

• 型号:AON2705
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:6-DFN（2x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 3A 6DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:108 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:180 pF @ 15 V
• FET 功能:肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:6-DFN（2x2）
• 封装/外壳:6-WDFN 焊盘
• AON2705，AOS产品一站式供应商。