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零件图片(仅供参考)
AOC3870A
规格参数

AOC3870A是AOS公司生产的一款采用6DFN封装的双N沟道MOSFET阵列。该器件集成了两个采用共漏极配置的N沟道MOSFET,旨在为空间受限的高效率应用提供紧凑的解决方案。

其核心电气参数突出高效能与强驱动能力:在4.5V Vgs和5A Id条件下,导通电阻典型值低至3.7毫欧,有助于显著降低导通损耗;最大栅极电荷仅为32nC,支持快速开关并降低驱动损耗。器件在环境温度下可支持高达22A的连续漏极电流,工作结温范围覆盖-55°C至150°C,确保了在宽温条件下的可靠运行。

这些特性使其成为同步整流DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用的理想选择,能够有效提升系统功率密度和整体能效。

  • 制造商产品型号:AOC3870A
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CHANNEL 6DFN
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:2 N 沟道(双)共漏
  • FET功能:标准
  • 漏源电压(Vdss):12V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):22A(Ta)
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3.7 毫欧 @ 5A,4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):32nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
  • 功率-最大值:2.3W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:10-SMD,无引线
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AOC3870A
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CHANNEL 6DFN
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询AOC3870A的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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