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AOC3860是AOS公司生产的一款表面贴装型双N沟道MOSFET阵列，采用6-XDFN紧凑封装。该器件集成了两个采用共漏极配置的标准N沟道MOSFET，专为节省PCB空间和简化布局而设计。

其核心电气特性包括极低的栅极阈值电压（Vgs(th)最大900mV）和较低的栅极电荷（Qg最大44nC），这使得它能直接兼容低电压逻辑驱动，并实现高效率的快速开关操作。器件支持2.5W的最大功耗，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，具备良好的热可靠性。

这些特性使其成为便携式设备、电池管理系统及高效DC-DC转换器中负载开关、电源路径管理等应用的理想选择，尤其注重空间利用率和能效优化的设计场景。

• 型号:AOC3860
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:6-DFN（3.05x1.77）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 6DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• 功率 - 最大值:2.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-XDFN
• 供应商器件封装:6-DFN（3.05x1.77）
• AOC3860，AOS产品一站式供应商。