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零件图片(仅供参考)

规格参数
AOC3860是AOS公司生产的一款表面贴装型双N沟道MOSFET阵列,采用6-XDFN紧凑封装。该器件集成了两个采用共漏极配置的标准N沟道MOSFET,专为节省PCB空间和简化布局而设计。
其核心电气特性包括极低的栅极阈值电压(Vgs(th)最大900mV)和较低的栅极电荷(Qg最大44nC),这使得它能直接兼容低电压逻辑驱动,并实现高效率的快速开关操作。器件支持2.5W的最大功耗,工作结温范围覆盖-55°C至150°C,具备良好的热可靠性。
这些特性使其成为便携式设备、电池管理系统及高效DC-DC转换器中负载开关、电源路径管理等应用的理想选择,尤其注重空间利用率和能效优化的设计场景。

基本参数:
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