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零件图片(仅供参考)
AOC3860
规格参数

AOC3860是AOS公司生产的一款表面贴装型双N沟道MOSFET阵列,采用6-XDFN紧凑封装。该器件集成了两个采用共漏极配置的标准N沟道MOSFET,专为节省PCB空间和简化布局而设计。

其核心电气特性包括极低的栅极阈值电压(Vgs(th)最大900mV)和较低的栅极电荷(Qg最大44nC),这使得它能直接兼容低电压逻辑驱动,并实现高效率的快速开关操作。器件支持2.5W的最大功耗,工作结温范围覆盖-55°C至150°C,具备良好的热可靠性。

这些特性使其成为便携式设备、电池管理系统及高效DC-DC转换器中负载开关、电源路径管理等应用的理想选择,尤其注重空间利用率和能效优化的设计场景。

  • 制造商产品型号:AOC3860
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET 2 N-CHANNEL 6DFN
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:2 N 沟道(双)共漏
  • FET功能:标准
  • 漏源电压(Vdss):-
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):-
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):900mV @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):44nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
  • 功率-最大值:2.5W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:6-XDFN
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AOC3860
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET 2 N-CHANNEL 6DFN
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询AOC3860的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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