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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4822A是AOS推出的一款双N沟道逻辑电平功率MOSFET阵列，采用8-SOIC封装。该器件在30V Vdss和8A Id的额定值下，提供了仅为19毫欧的低导通电阻（@10V Vgs），有效降低了功率传导损耗，提升系统效率。
其逻辑电平门控特性（Vgs(th) ≤ 2.4V）使其可直接由3.3V/5V微控制器驱动，简化了电路设计。同时，低至18nC的栅极电荷和888pF的输入电容确保了快速的开关性能，适用于高频开关应用。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）保障了其在各种环境下的可靠性。
这款MOSFET主要面向空间受限、要求高效率的电源管理、电机驱动和负载开关应用，其双通道集成设计为高密度PCB布局提供了理想的解决方案。
基本参数：
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