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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO6402AL_101是一款N沟道MOSFET,采用6-TSOP封装,专为表面贴装应用而设计。其核心电气参数包括30V的漏源电压(Vdss)和7A的连续漏极电流(Id)处理能力,适用于常见的低压功率系统。
该器件的突出优势在于其低导通电阻(最大27mΩ @ 10V Vgs)和优化的开关特性(最大栅极电荷17nC),这共同实现了较低的传导损耗和开关损耗,有助于提升系统效率。其逻辑电平兼容的驱动电压(Vgs(th)最大2.5V)简化了与微控制器的接口设计。

基本参数:

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