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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6204是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN表面贴装封装，专为高效、紧凑的功率开关应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、20A Id条件下最大仅12毫欧，能显著降低导通损耗，提升系统整体效率。
该器件具备30V的漏源电压额定值，并在4.5V的低栅极驱动电压下即可实现良好导通，兼容主流逻辑电平。其开关特性优异，栅极电荷和输入电容值较低，支持快速开关操作，减少开关损耗。在Tc条件下可支持高达24A的连续漏极电流和31W的功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在 demanding 应用环境下的稳定性和可靠性。
基本参数：
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