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AOW298是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-262通孔封装。该器件设计用于中压、大电流的开关应用，其核心电气参数包括100V的漏源击穿电压（Vdss），以及在管壳温度25°C下高达58A的连续漏极电流承载能力。

其关键性能优势体现在极低的导通损耗上，在10V栅极驱动、20A漏极电流条件下，导通电阻最大值仅为14.5毫欧。同时，27nC（@10V）的最大栅极电荷有助于实现高效的开关速度控制。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和功率转换电路中实现高效能、高可靠性功率管理的理想选择。

• 型号:AOW298
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 9A/58A TO262
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Ta），58A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1670 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• AOW298，AOS产品一站式供应商。