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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6560是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）表面贴装封装。该器件设计用于在30V的漏源电压（Vdss）下工作，并展现出卓越的电流处理能力，在特定温度条件下连续漏极电流（Id）最高可达200A。
其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、20A Id条件下最大值仅为0.62毫欧，这能显著降低传导损耗，提升系统效率。同时，优化的栅极电荷（Qg最大值325nC @ 10V）和输入电容特性，有助于实现快速开关并控制开关损耗。器件支持宽泛的驱动电压（最大RdsOn @ 4.5V）和高达±20V的Vgs，提供了灵活的设计空间。
结合高达208W（Tc）的功率耗散能力及-55°C至150°C的宽工作结温范围，AON6560成为高功率密度、高效率电源转换和电机驱动应用的可靠选择。
基本参数：
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