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AOT5N50_001是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3封装，专为高压开关应用而设计。其核心参数包括500V的漏源电压（Vdss）和5A的连续漏极电流（Id），提供了坚实的功率处理基础。

该器件的关键优势在于其平衡的开关性能。1.5欧姆的最大导通电阻有助于降低导通损耗，而19nC的低栅极电荷与620pF的输入电容共同确保了快速的开关瞬态，有利于提升高频电路的效率。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，并支持104W（Tc）的功率耗散，展现了良好的热可靠性。

• 制造商产品型号：AOT5N50_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：5A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.5 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：19nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：620pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：104W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220-3
• AOT5N50_001，AOS产品一站式供应商。