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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT5N50_001是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3封装，专为高压开关应用而设计。其核心参数包括500V的漏源电压（Vdss）和5A的连续漏极电流（Id），提供了坚实的功率处理基础。
该器件的关键优势在于其平衡的开关性能。1.5欧姆的最大导通电阻有助于降低导通损耗，而19nC的低栅极电荷与620pF的输入电容共同确保了快速的开关瞬态，有利于提升高频电路的效率。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，并支持104W（Tc）的功率耗散，展现了良好的热可靠性。
基本参数：
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