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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD3N80是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。其核心电气特性包括高达800V的漏源电压（Vdss）以及2.8A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的基础。
该器件在10V驱动电压下具有优化的导通电阻，并结合了较低的栅极电荷和输入电容，这共同实现了较低的导通与开关损耗，有助于提升电源系统的整体效率。其宽工作结温范围（-50°C至150°C）确保了在恶劣环境下的稳定运行。
基本参数：
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