AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOI2610是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用TO-251A通孔封装。其核心电气参数针对高效功率开关应用进行了优化，具备60V的漏源电压（Vdss）额定值，以及壳温（Tc）下高达46A的连续漏极电流处理能力。
该器件的关键优势在于其极低的导通电阻，在10V Vgs、20A Id条件下最大仅为10.7mΩ，配合仅30nC（@10V）的最大栅极电荷（Qg），共同确保了较低的导通与开关损耗。其宽泛的栅源电压范围（±20V）与高达175°C的结温工作范围，进一步增强了其在严苛环境下的适用性与可靠性。
基本参数：
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