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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO5600E是AOS公司生产的一款N沟道与P沟道MOSFET集成阵列，采用SC89-6L超小型封装。该器件专为节省空间的低压应用而设计，其N-CH和P-CH MOSFET的漏源电压（Vdss）均为20V，连续漏极电流（Id）分别达到600mA和500mA，能够有效处理中小功率的开关任务。
其核心优势在于优异的开关性能与易用性。作为逻辑电平门器件，其栅极阈值电压低，可直接由微控制器驱动。在4.5V栅极电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为650毫欧，配合极低的栅极电荷（1nC）和输入电容（45pF），确保了高速开关与低导通损耗，显著提升系统效率。其工作结温范围宽（-55°C ~ 150°C），适用于各种环境。
基本参数：
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