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AO5600E是AOS公司生产的一款N沟道与P沟道MOSFET集成阵列，采用SC89-6L超小型封装。该器件专为节省空间的低压应用而设计，其N-CH和P-CH MOSFET的漏源电压（Vdss）均为20V，连续漏极电流（Id）分别达到600mA和500mA，能够有效处理中小功率的开关任务。

其核心优势在于优异的开关性能与易用性。作为逻辑电平门器件，其栅极阈值电压低，可直接由微控制器驱动。在4.5V栅极电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为650毫欧，配合极低的栅极电荷（1nC）和输入电容（45pF），确保了高速开关与低导通损耗，显著提升系统效率。其工作结温范围宽（-55°C ~ 150°C），适用于各种环境。

• 型号:AO5600E
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:SC-89-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 20V 0.6A SC89-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):600mA，500mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:650 毫欧 @ 500mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:45pF @ 10V
• 功率 - 最大值:380mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SC-89-6
• AO5600E，AOS产品一站式供应商。