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零件图片（仅供参考）
AON7408L
规格参数

AON7408L是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP（3x3）热增强型封装，专为高效率电源转换应用而优化。其核心优势在于优异的开关性能组合：在30V的漏源电压(Vdss)下，实现了低至22毫欧（@10V Vgs, 9A）的导通电阻与仅8nC（@4.5V）的低栅极电荷，这共同确保了极低的导通损耗与开关损耗。

该器件提供7.5A (Ta) / 20A (Tc)的连续电流能力，栅源电压耐受范围达±20V，并与标准逻辑电平兼容。其紧凑的封装设计结合底部裸露焊盘，提供了出色的散热性能，支持高达20W (Tc)的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，满足工业级应用的可靠性要求。

  • 制造商产品型号：AON7408L
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 7.5A/20A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：7.5A (Ta)，20A (Ta)
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：22 毫欧 @ 9A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：8nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：820pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：1.7W (Ta)，20W (Tc)
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN-EP（3x3）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON7408L
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 7.5A/20A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON7408L的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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