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AO4430L_102是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-SOIC表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、18A Id条件下，Rds(On)最大值仅为5.5毫欧，能显著降低功率应用中的传导损耗，提升系统效率。

器件额定电压30V，连续漏极电流达18A（Ta），兼容4.5V至10V的标准栅极驱动电压，开关特性优良（Qg最大124nC）。这些参数使其非常适合用于要求高效率和高功率密度的同步整流、电机驱动及负载开关等电路。其工作结温范围为-55°C至150°C，确保了在宽温环境下的可靠性。

• 制造商产品型号：AO4430L_102
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：18A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.5 毫欧 @ 18A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：124nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7270pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SOIC
• AO4430L_102，AOS产品一站式供应商。