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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO4430L_102是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET,采用8-SOIC表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻,在10V Vgs、18A Id条件下,Rds(On)最大值仅为5.5毫欧,能显著降低功率应用中的传导损耗,提升系统效率。
器件额定电压30V,连续漏极电流达18A(Ta),兼容4.5V至10V的标准栅极驱动电压,开关特性优良(Qg最大124nC)。这些参数使其非常适合用于要求高效率和高功率密度的同步整流、电机驱动及负载开关等电路。其工作结温范围为-55°C至150°C,确保了在宽温环境下的可靠性。

基本参数:

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