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AON7900是AOS公司生产的一款双N沟道MOSFET阵列，采用8-PowerWDFN表面贴装封装。该器件集成了两个逻辑电平门控的N沟道MOSFET，构成半桥结构，漏源电压（Vdss）额定值为30V。

其核心优势在于优异的开关性能与导通特性。在10V Vgs条件下，导通电阻（Rds(on)）低至21毫欧@8A，同时栅极电荷（Qg）最大值仅为11nC，这共同确保了低传导损耗与高开关效率。2.3V的最大栅极阈值电压使其可直接由标准逻辑电平驱动。器件工作结温范围覆盖-55°C至150°C，最大功耗1.8W，提供了可靠的功率处理能力。

• 型号:AON7900
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A，13A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:710pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.8W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerWDFN
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• AON7900，AOS产品一站式供应商。