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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7900是AOS公司生产的一款双N沟道MOSFET阵列，采用8-PowerWDFN表面贴装封装。该器件集成了两个逻辑电平门控的N沟道MOSFET，构成半桥结构，漏源电压（Vdss）额定值为30V。
其核心优势在于优异的开关性能与导通特性。在10V Vgs条件下，导通电阻（Rds(on)）低至21毫欧@8A，同时栅极电荷（Qg）最大值仅为11nC，这共同确保了低传导损耗与高开关效率。2.3V的最大栅极阈值电压使其可直接由标准逻辑电平驱动。器件工作结温范围覆盖-55°C至150°C，最大功耗1.8W，提供了可靠的功率处理能力。
基本参数：
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