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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOV15S60 是 AOS 公司 aMOS 系列中的一款高压 N 沟道 MOSFET，采用 4-DFN-EP（8x8）表面贴装封装。其核心电气参数包括 600V 的漏源电压 (Vdss) 和低至 360 毫欧的导通电阻 (Rds(on))，在 10V 栅极驱动下测得，这为高电压开关应用提供了优异的导通性能与效率基础。
该器件具备快速开关能力，其栅极电荷 (Qg) 典型值仅为 15.6nC，有助于降低开关损耗并提升工作频率。在热性能方面，其在壳温条件下支持高达 12A 的连续漏极电流和 208W 的功率耗散，结合 -55°C 至 150°C 的宽工作结温范围，确保了在工业级功率应用中的高可靠性与稳定性。
基本参数：
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