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零件图片(仅供参考)

规格参数
AOCA32116E是AOS推出的一款20V、双N沟道共漏极MOSFET阵列。该器件集成了两个标准N沟道MOSFET,采用表面贴装型4-SMD无引线封装,专为高密度PCB设计优化,显著节省电路板空间。
其核心电气参数表现突出:在3A、4.5V条件下导通电阻最大值仅为36mΩ,确保了低导通损耗;栅极阈值电压最大1.3V,兼容低压逻辑驱动;同时,低至5.5nC的栅极电荷(@4.5V)支持高速开关操作,降低开关损耗。器件在环境温度下可连续通过6A电流,工作结温范围覆盖-55°C至150°C,提供了宽温域下的可靠性能。
这些特性使其非常适用于需要高效率、快速响应和高可靠性的低压功率开关场景,如DC-DC转换器、负载开关、电池保护及电机驱动等。

基本参数:

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