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AO3406L_106是AOS推出的一款N沟道MOSFET，采用SOT-23-3表面贴装封装。其核心电气特性包括30V的漏源电压（Vdss）和3.6A的连续漏极电流（Id），为低电压、中等电流的开关应用提供了可靠的解决方案。

该器件的关键优势在于其优异的导通特性，在10V Vgs下最大导通电阻仅为65毫欧，同时栅极电荷（Qg）最大值为8.5nC，实现了低导通损耗与快速开关性能的良好平衡。其逻辑电平兼容的栅极驱动（Vgs(th) ≤ 3V）和±20V的栅源电压耐受能力，进一步增强了设计的便利性和鲁棒性。

• 制造商产品型号：AO3406L_106
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.6A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：65 毫欧 @ 3.6A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：8.5nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：375pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：SOT-23-3
• AO3406L_106，AOS产品一站式供应商。