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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO3460L是一款N沟道MOSFET，采用SOT-23封装，提供60V漏源电压（Vdss）与650mA连续漏极电流（Id）的额定能力。其关键特性在于优化的导通性能，在10V Vgs驱动下，导通电阻（Rds(On)）低至1.7欧姆@650mA，有效降低了导通损耗。
该器件设计兼容低电压逻辑驱动，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大为2.5V，标准驱动电压为4.5V/10V，便于直接由微控制器或低压逻辑电路驱动。其具备27pF（@30V）的典型输入电容，支持快速的开关切换。器件工作结温范围为-55°C至150°C，适用于要求高可靠性的各类紧凑型电子设备。
基本参数：
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