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AO4407BL是一款由AOS制造的P沟道功率MOSFET，采用8SOIC表面贴装封装。其核心电气特性包括30V的漏源击穿电压（Vdss）以及在环境温度下高达12A的连续漏极电流处理能力。

该器件的关键优势在于其优异的开关性能与低损耗特性。它在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）典型值低至13毫欧，能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，其最大栅极电荷（Qg）仅为36nC，有助于实现快速开关并减少驱动电路负担，提升整体电源转换效率。这些参数使其成为低压、大电流开关应用的理想选择。

• 制造商产品型号：AO4407BL
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：13 毫欧 @ 12A，20V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：36nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2600pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：-
• AO4407BL，AOS产品一站式供应商。