AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOW12N60是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-262封装，专为高效能功率转换应用而设计。其核心电气参数奠定了高性能基础：600V的漏源电压（Vdss）提供了高压应用的可靠保障；在10V驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至550mΩ @ 6A，有效降低了导通损耗；同时，50nC的低栅极电荷（Qg）有利于实现快速开关，减少开关损耗。
该器件在25°C壳温下可连续通过12A电流，最大功耗达278W，并支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在严苛环境下的稳定性和耐用性。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和新能源逆变器等中高功率应用的理想开关解决方案。
基本参数：
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