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AON6411_001是AOS公司生产的一款P沟道功率MOSFET，采用8-DFN表面贴装封装。该器件设计用于提供高效的功率开关解决方案，其核心优势在于极低的导通电阻与出色的电流处理能力。

其关键参数包括20V的漏源电压（Vdss），在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）达47A，管壳温度下可达85A。在10V Vgs和20A Id条件下，其导通电阻（Rds(On)）最大值仅为2.1毫欧，有效降低了传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值为330nC，有利于实现快速开关并减少驱动损耗。

这些特性使其成为空间受限、要求高效率和高可靠性的电源管理应用的优选器件，例如负载开关、电池保护电路及DC-DC转换器等。

• 制造商产品型号：AON6411_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 20V 47A/85A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：47A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.1 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：330nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±12V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：10290pF @ 10V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：7.3W（Ta），156W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• AON6411_001，AOS产品一站式供应商。