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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO5804E是一款由AOS制造的双N沟道逻辑电平MOSFET阵列，采用SC89-6L（SOT-563）超小型封装。其核心优势在于将两个独立的20V/500mA N沟道MOSFET集成于单一芯片，为空间敏感型应用提供了高集成度的解决方案。
该器件具备优异的开关性能，其导通电阻（RDS(on)）在4.5V栅极驱动下仅为550毫欧（最大值），配合极低的栅极电荷（1nC @ 4.5V）和输入电容（45pF @ 10V），确保了高效的能量转换与快速的开关响应。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）进一步保障了其在各种环境条件下的稳定性和可靠性。
基本参数：
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