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AON7416_101是一款N沟道功率MOSFET，采用DFN封装，专为高效功率开关设计。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、20A Id条件下典型值仅为8.5毫欧，这能显著降低导通损耗，提升整体能效。同时，32nC的低栅极电荷确保了快速的开关性能，适合高频应用。

该器件额定漏源电压为30V，在壳温条件下可持续承受高达40A的电流。其4.5V的低栅极驱动电压与逻辑电平兼容，便于驱动电路设计。宽广的工作结温范围（-55°C至150°C）和良好的热性能封装，使其能在各种环境条件下稳定工作，适用于电源转换和电机控制等场景。

• 制造商产品型号：AON7416_101
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：14A（Ta），40A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.7V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：32nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±12V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1900pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），25W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（3x3）
• AON7416_101，AOS产品一站式供应商。