
我们为全球各个行业提供AOS AOD9N50及技术资料下载,帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片(仅供参考)

规格参数
AOD9N50 是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-252表面贴装封装。其核心电气参数包括500V的漏源电压和9A的连续漏极电流,为高压应用提供了坚实的基础。
该器件的关键优势在于其优异的导通与开关性能平衡。其导通电阻(Rds(on))低至860毫欧(@10V, 4.5A),能显著降低导通损耗。同时,较低的栅极电荷(24nC @10V)有利于实现快速开关,提升系统效率并降低驱动需求。这些特性使其成为开关电源和功率转换电路中高效、可靠的开关解决方案。

基本参数:
AOS被热门搜索和购买的相关器件型号


AOS(万代半导体)全球授权代理商现货库存实时更新中,欢迎询价
AOS提供广泛的功率半导体产品线,包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列
AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询






