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零件图片(仅供参考)

规格参数
AOC3862是AOS公司推出的一款采用6-XDFN封装的表面贴装型双N沟道MOSFET阵列,属于其高性能AlphaMOS产品系列。该器件集成了两个采用共漏极连接的标准N沟道MOSFET,专为优化PCB空间和简化电路布局而设计。
其核心电气特性包括最大1.25V的低栅极阈值电压,便于与低压逻辑电路直接接口;以及在4.5V Vgs下仅46nC的最大栅极电荷,确保了高效的开关性能和较低的能量损耗。器件工作结温范围覆盖-55°C至150°C,最大功耗2.5W,提供了宽泛的工作条件与可靠的功率处理能力。
这些特性使得AOC3862非常适合用于空间紧凑、要求高效率的电源管理应用,如同步整流DC-DC转换器、负载开关和电机驱动电路等。

基本参数:
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