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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7458是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（3x3）表面贴装封装。其核心电气特性包括250V的漏源击穿电压（Vdss），以及在10V驱动下仅560毫欧的最大导通电阻（Rds(On) @1.5A），有效降低了功率传导损耗。
该器件具备优异的开关性能，其最大栅极电荷（Qg）为7.2nC，输入电容（Ciss）为370pF，有利于实现高效率的高频开关操作。其连续漏极电流在管壳温度（Tc）条件下可达5A，并支持-50°C至150°C的宽结温范围，确保了在各类严苛应用环境下的稳定性和可靠性。
基本参数：
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