我们为全球各个行业提供AOS AO3419现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

AO3419是AOS公司推出的一款P沟道功率MOSFET，采用SOT-23-3L封装。其核心优势在于20V的漏源电压和3.5A的连续漏极电流能力，结合低至85毫欧（@10V Vgs）的导通电阻，为系统提供了高效的电能传输路径，有效降低了导通状态下的功率损耗。

该器件设计注重与低压逻辑电路的兼容性，其栅极阈值电压低，可在1.8V驱动电压下有效工作，简化了驱动电路设计。同时，极低的栅极电荷（4.4nC）和输入电容（400pF）确保了快速的开关响应和较低的动态损耗，有助于提升开关电源等应用的频率和效率。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）进一步保障了其在各种环境条件下的可靠性。

• 型号:AO3419
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23-3L
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:85 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.4 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:3-SMD，SOT-23-3 变式
• AO3419，AOS产品一站式供应商。