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AON7400B_101是一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP（3x3）封装，专为高效功率开关设计。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs和18A Id条件下，Rds(On)最大值仅为7.5毫欧，能显著降低导通损耗，提升系统整体效率。

该器件具备30V的漏源电压和强大的电流处理能力，在Tc条件下连续漏极电流可达40A，最大功率耗散为24W。其优化的栅极特性，包括2.5V的最大阈值电压和26nC的低栅极电荷，确保了其易于驱动且开关速度快，适用于高频开关场景。宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C）进一步保障了其在各种环境下的可靠性。

• 制造商产品型号：AON7400B_101
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：18A（Ta），40A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.5 毫欧 @ 18A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：26nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1440pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：4.1W（Ta），24W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（3x3）
• AON7400B_101，AOS产品一站式供应商。