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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON1606是AOS公司生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用微型3-DFN封装（1.0 x 0.60 mm），专为高密度、高效率的便携式电子设备电源管理而设计。
该器件具备20V的漏源电压（Vdss）和700mA的连续漏极电流（Id）处理能力。其核心电气优势在于实现了低导通电阻（Rds(on)）与低栅极电荷（Qg）的优化组合，在4.5V Vgs下，Rds(on)典型值仅为275mΩ，Qg最大值为850nC，这确保了其在开关应用中兼具低导通损耗和快速的开关瞬态响应。
宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和900mW的功率耗散能力，使其能够适应各种环境条件下的稳定运行，是负载开关、DC-DC转换及电池保护等低压、高频电路的理想选择。
基本参数：
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