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零件图片（仅供参考）
规格参数
AONR36326C是一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP（3x3）表面贴装封装，专为提升中低压应用的效率和功率密度而设计。其核心优势在于极低的导通电阻（9.8mΩ @ 10V）和较小的栅极电荷（15nC @ 10V），这共同实现了优异的导通与开关损耗性能，有助于提升系统整体能效。
该器件额定值为30V漏源电压和12A连续漏极电流，结合其增强的散热封装（支持20.5W @ Tc），可在-55°C至150°C的结温范围内可靠工作。这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换及电机控制等高频开关应用的理想解决方案。
基本参数：
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