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AOW360A70是AOS公司推出的aMOS5系列N沟道功率MOSFET，采用TO-262封装。其核心特性包括700V的高漏源电压（Vdss）和12A（Tc）的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

该器件在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为360毫欧（@6A），配合22.5nC（@10V）的最大栅极电荷（Qg），实现了优异的低导通损耗与快速开关性能的平衡。其156W（Tc）的高功率耗散能力和-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在苛刻环境下的高可靠性与稳定性。

• 型号:AOW360A70
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 12A TO262
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:156W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• AOW360A70，AOS产品一站式供应商。