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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO7404是一款采用SC-70-3封装的N沟道MOSFET，其设计核心在于优化低压环境下的能效与空间利用率。该器件具备20V的漏源电压（Vdss）和1A（Ta）的连续漏极电流能力，其关键优势在于极低的栅极驱动需求（Vgs(th)最大800mV）和优异的导通特性（在4.5V Vgs下Rds(on)最大225mΩ），使其可直接由1.8V至5V的标准逻辑电平高效驱动。
此外，其极低的栅极电荷（Qg最大1.57nC @ 4.5V）和输入电容（Ciss最大101pF @ 10V）确保了快速的开关速度和低开关损耗，非常适合高频开关应用。结合-55°C至150°C的宽结温工作范围，AO7404为便携式电子产品、电源管理和低功率开关电路提供了一个紧凑、高效且可靠的功率开关解决方案。
基本参数：
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