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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4629是AOS公司推出的一款N沟道与P沟道逻辑电平MOSFET共漏极阵列，采用8-SOIC封装。该器件集成了一个30V/6A的N-MOSFET和一个30V/5.5A的P-MOSFET，两者共享漏极，专为互补开关应用而优化。
其关键特性包括极低的导通电阻（典型值30mΩ @ 10V）和栅极电荷（最大值6.3nC @ 10V），确保了高效率与快速的开关性能。作为逻辑电平器件，其2.4V的最大栅极阈值电压使其可直接由3.3V或5V逻辑电路驱动，简化了系统设计。该器件工作结温范围宽（-55°C至150°C），适用于要求高可靠性的电源管理、电机控制和负载开关等应用场景。
基本参数：
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