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零件图片(仅供参考)
AOT15S60L
规格参数

AOT15S60L是一款采用TO-220封装的N沟道功率MOSFET,隶属于AOS公司的aMOS产品系列。其核心电气规格包括600V的漏源电压(Vdss)和15A(Tc)的连续漏极电流额定值,为高压开关应用提供了坚实的基础。

该器件的突出优势在于其优异的导通特性,在10V Vgs、7.5A Id条件下,导通电阻最大值仅为290毫欧,有助于显著降低导通损耗。同时,其较低的栅极电荷(15.6nC @ 10V)有利于实现快速开关并减少驱动损耗。这些参数特性使其成为开关电源、电机驱动和工业电源系统中追求高效率与可靠性的理想功率开关选择。

  • 制造商产品型号:AOT15S60L
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 15A TO220
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:aMOS
  • 零件状态:不用於新
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):15A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):290 毫欧 @ 7.5A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.8V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):15.6nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):372pF @ 100V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):208W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:TO-220
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AOT15S60L
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 600V 15A TO220
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOT15S60L的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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