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AOT15S60L 零件图片(仅供参考)

AOT15S60L
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AOT15S60L 规格参数

AOT15S60L是一款采用TO-220封装的N沟道功率MOSFET,隶属于AOS公司的aMOS产品系列。其核心电气规格包括600V的漏源电压(Vdss)和15A(Tc)的连续漏极电流额定值,为高压开关应用提供了坚实的基础。

该器件的突出优势在于其优异的导通特性,在10V Vgs、7.5A Id条件下,导通电阻最大值仅为290毫欧,有助于显著降低导通损耗。同时,其较低的栅极电荷(15.6nC @ 10V)有利于实现快速开关并减少驱动损耗。这些参数特性使其成为开关电源、电机驱动和工业电源系统中追求高效率与可靠性的理想功率开关选择。

  • 型号:AOT15S60L
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 15A TO220
  • 包装:管件
  • 产品状态:不适用于新设计
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):290 毫欧 @ 7.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):15.6 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):372 pF @ 100 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):208W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-220
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • AOT15S60L,AOS产品一站式供应商。
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AOT15S60L 基本参数:

  • 电子零件型号:AOT15S60L
  • 原始制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,万代半导体)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 600V 15A TO220
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询AOT15S60L的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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