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零件图片(仅供参考)

规格参数
AON7423是一款由AOS制造的P沟道功率MOSFET,采用8-DFN-EP封装,专为高密度、高效率的电源应用而优化。其核心优势在于极低的导通电阻,在4.5V Vgs和20A条件下,Rds(On)最大值仅为5毫欧,这能显著降低导通损耗,提升系统能效。
器件具备20V的漏源电压额定值和强大的电流处理能力,在管壳温度(Tc)下连续漏极电流可达50A。同时,其栅极电荷(Qg)低至100nC(@4.5V),支持快速开关,有助于减少开关损耗。宽工作结温范围(-55°C至150°C)和高达83W(Tc)的功率耗散能力,确保了其在各种严苛环境下的稳定性和可靠性。

基本参数:
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