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AO7401 是 AOS 推出的一款采用 SC-70-3 封装的 P 沟道 MOSFET，专为空间受限且要求高效率的低压应用而优化。其核心优势在于极低的导通电阻（150mΩ @ 10V, 1.2A）和低栅极驱动电压（Vgs(th)最大 1.4V），使其能够被标准的 2.5V/3.3V 逻辑电平直接高效驱动，显著降低驱动电路复杂性和功耗。

该器件额定漏源电压为 30V，连续漏极电流达 1.4A，结合仅 5.06nC 的低栅极电荷，确保了快速的开关速度和较低的开关损耗。其紧凑的封装和 350mW 的功率耗散能力，使其成为便携式设备、电源管理模块和低压电机控制应用中实现高效电源切换和路径管理的理想选择。

• 型号:AO7401
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:SC-70-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 1.4A SC70-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 1.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.06 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:409 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SC-70-3
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• AO7401，AOS产品一站式供应商。